Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 304 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO263
|
N-Channel Ignition IGBT | 350V, 20A, 150W |
Купить
1200 т.
|
||
TO263
|
REVERSED BATTERY AND OVERVOLTAGE PROTECTION |
Купить
1400 т.
|
|||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 30V, 45A, 16mΩ, 60W |
Купить
550 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) Automotive | 60V, 27A, 0,040Ω |
Купить
750 т.
|
||
TO263
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 60V, ±70A, 6,3mΩ, 100W |
Купить
650 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 80A |
Купить
400 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 45,6A, 0,042Ω |
Купить
800 т.
|
||
TO263
|
High Performance Schottky Rectifiers | 2 x 20A |
Купить
1100 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 3,9A, 3,6Ω |
Купить
0 т.
|
||
IXGA90N33TC
|
TO263
|
N-Channel IGBT |
Купить
550 т.
|
||
LM1086IS-ADJ
|
TO263
|
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 7,8A |
Купить
1000 т.
|
||
SF20JC10
|
TO263
|
Schottky Barrier Diode |
Купить
350 т.
|
||
STPS30L30CG
|
TO263
|
Schottky |
Купить
450 т.
|
||
TO263
|
NPN Darlington с диодом | 250V, 10A |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 44A, 69mΩ, 307W, 60pF, 47nC |
Купить
1100 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 52, 0,049Ω |
Купить
800 т.
|
||
FQB52N20
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 52A 200V 0,049Ω |
Купить
0 т.
|
|
TO263
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 16A |
Купить
750 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 110A |
Купить
700 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 84A, 12mΩ |
Купить
320 т.
|
||
FQB7N80
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V. -18A, 0,050Ω, 60W |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V, -20A, 0,042Ω, 75W |
Купить
650 т.
|
||
UTC7N80L-TQ2-R
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 7,6A, 63W |
Купить
800 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
400 т.
|
|||
TO263
|
High Performance Fast Recovery Diode | 2X30A, 300V, 35ns |
Купить
650 т.
|
||
TO263
|
N-Channel IGBT | 600V, 60A |
Купить
500 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
600 т.
|
|||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом (AUTOMOTIVE MOSFET) | 40V, 75A, 5,5mΩ, 140W |
Купить
1500 т.
|
||
BTS140A
|
TO263
|
TEMPFET (Automotive) | 50V, 42A, 0,028Ω |
Купить
500 т.
|
|
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
550 т.
|
|||
SPB99N03
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 99A |
Купить
650 т.
|
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 70A/49A, 0,014Ω |
Купить
750 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
||
TO263
|
N-Channel с диодом (Logic-Level) | 100A, 30V, 4,5mΩ |
Купить
550 т.
|
||
L4940D2T5
|
TO263
|
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 120A, 2,5mΩ |
Купить
700 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 300V, 91A, 42mΩ |
Купить
650 т.
|
||
TO263
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 60V, 20A, 45mΩ, 30W |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-Channel Ignition IGBT (Automotive) | 360V, 21A/17A, 150W, 300mJ |
Купить
1500 т.
|
||
TO263
|
N-Channel Ignition IGBT | 410V, 15A, 138W |
Купить
1350 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 50A, 19mΩ |
Купить
400 т.
|
||
16N55G
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
GT30F132
|
TO263
|
N-Channel IGBT |
Купить
500 т.
|
||
TO263
|
Power Schottky Rectifier | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 250V, 15A |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 55V, 60A, 0,017Ω |
Купить
0 т.
|
||
SGP403
|
TO263
|
Купить
750 т.
|
|||
TO263
|
Schottky Rectifiers Diode (SBD) | 90V, 10A |
Купить
250 т.
|
||
2060CT
|
TO263
|
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
||
SF10A400HDS
|
TO263
|
Ultrafast Recovery Rectifier |
Купить
550 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
RJP30E4A
|
TO263
|
N-Channel IGBT |
Купить
750 т.
|
||
TO263
|
Super Fast Recovery Diode |
Купить
550 т.
|
|||
SUM60N04-05LT
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
400 т.
|
||
RJP30L4
|
TO263
|
N-Channel IGBT |
Купить
900 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
||
AMC317ST
|
TO263
|
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
NPN Darlington с диодом | 350V, 10A |
Купить
0 т.
|
||
SUB60N04-15LT
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V Temperature Sensing MOSFET |
Купить
450 т.
|
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V |
Купить
400 т.
|
||
B2060G
|
TO263
|
Schottky |
Купить
350 т.
|
||
MBRB2060CTG
|
TO263
|
Schottky |
Купить
320 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 500V, 5A, 1,6Ω, 40W, 320pF |
Купить
1250 т.
|
||
TO263
|
logic level and standard Triac | 16A |
Купить
950 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V, -15A, 0,075Ω, 50W |
Купить
750 т.
|
||
TO263
|
N-Channel Ignition IGBT (Automotive) | 400V, 18A, 115W |
Купить
1200 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 60A, 12mΩ |
Купить
350 т.
|
||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом | -100V, -22A, 125mΩ |
Купить
500 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 700V, 6,2A, 1,5Ω, 142W, 1100pF |
Купить
850 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 8A, 0,55Ω |
Купить
500 т.
|
||
TO263
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 18A |
Купить
550 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive) | 200V, 18A, 0,18Ω |
Купить
800 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 45A, (10V Drive Nch MOSFET) |
Купить
600 т.
|
||
TO263
|
N-Channel Ignition IGBT (Automotive) | 400V, 250mJ |
Купить
1500 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 42A, 6,0mΩ |
Купить
0 т.
|
||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|