×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 

EMB20P03G

P-Channel с диодом
P-Channel с диодом (Logic Level)
-30A, -10A, 20mΩ
Excelliance MOS Corporation
SOP8
Есть в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
450 т.
Товар в корзине

EMB04N03H

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 75A, 4,0mΩ
Excelliance MOS Corporation
EDFN 5 x 6
Нет в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
0 т.
Товар в корзине

EMB20P03V

P-Channel с диодом
P-Channel с диодом (Logic Level)
-30V, -18A, 20mΩ
Excelliance MOS Corporation
DFN 3x3 EP
Есть в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
650 т.
Товар в корзине

EMB20P03?

P-Channel с диодом
P-Channel с диодом (Logic Level)
-30V, -18A, 20mΩ
Excelliance MOS Corporation
DFN 5x6 EP
Нет в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
0 т.
Товар в корзине

EMB20N03V

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 12A, 20mΩ
Excelliance MOS Corporation
DFN 3x3 EP
Есть в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
400 т.
Товар в корзине

EMB24B03G

Dual P-Channel с диодом
Dual P-Channel с диодом
Тех. описание(PDF)
Excelliance MOS Corporation
SOIC8
Есть в наличии
Excelliance MOS Corporation
Купить
450 т.
Товар в корзине

EMB03N03A

N-Channel с диодом
N‐Channel Logic Level
30V, 80A, 3,5mΩ
Excelliance MOS Corporation
DPAK
Нет в наличии
Excelliance MOS Corporation
Товар в корзине

EMZB08P03V

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
-30V, -25A, 8,5mΩ
Excelliance MOS Corporation
DFN 3x3 EP
Нет в наличии
Excelliance MOS Corporation
Товар в корзине