×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 3 позиций 

HY4504W

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 250A, 2,0mΩ
HOOYI Semiconductor
TO-247-3L
Есть в наличии
HOOYI Semiconductor
Купить
850 т.
Товар в корзине

HY4008W

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 200A, 2,9mΩ
HOOYI Semiconductor
TO-247-3L
Есть в наличии
HOOYI Semiconductor
Купить
900 т.
Товар в корзине

SGT60N60FD1P7 <60N60FD1> ◙

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A,
Silan Microelectronics
TO-247-3L
Есть в наличии
Silan Microelectronics
Купить
1700 т.
Товар в корзине