Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 11 позиций
IPB120N06S4-03 <4N0603> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
IPB15N03L |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
SPB80N03S2L-05 <2N03L05> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 80A, 5,2mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
IPB80N04S3-06 <3N0406> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 80A, 5,4mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
1200 т.
Товар в корзине
|
IPB120N06N G <120N06N> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 75A, 11,7mΩ, 158W
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
|
Купить
450 т.
Товар в корзине
|
IPB80N06S2-H5 <2N06H5> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
55V, 80A, 5,2mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SPB70N10L <70N10> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
SPP80N06S2-09 <2N0609> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
IPB80N06S2L-07 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
IPB108N15N3G |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
1100 т.
Товар в корзине
|
IPB04N03L <04N03L02> |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3-2
Есть в наличии
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|