Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 

SGW20N60HS

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
600V, 20A
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
2200 т.
Товар в корзине

IKW50N60T

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 50A, 333W
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1650 т.
Товар в корзине

IKW30N60T

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

SGW30N60 <30T60> G30N60

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1250 т.
Товар в корзине

IKW30N60H3

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

SGW20N60

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
600V, 20A
Infineon Technologies AG
P-TO-247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1100 т.
Товар в корзине