Корпус
Производитель
Структура
Параметры
STGW40V60DF
GT60M301
всего найдено 705 позиций
N-Channel IGBT с диодом
TO247
N-Channel IGBT
PG-TO220-3-1
N-Channel IGBT с диодом
PG-TO-247-3
N-Channel IGBT
TO220AB
N-Channel IGBT с диодом
TO220AB
N-Channel IGBT с диодом
TO220F
N-Channel IGBT с диодом
TO263
N-Channel IGBT с диодом
TO220(ST)
N-Channel IGBT
TO220_HARRIS
NGP15N41CLG
N-Channel IGBT
ON Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
SGT40N60NPFD
N-Channel IGBT с диодом
Silan Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO247
RJH60F4DPQ-A0
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-220F LG-formed
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP30Y2ADPP
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP4046DPP
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP63F4A
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-247
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
N-Channel IGBT с диодом
TO247
STGW40V60DF
600V, 40A
N-Channel IGBT с диодом
ST Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
N-Channel IGBT с диодом
TO220F
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
N-Channel IGBT
TO-220SIS
GT30F126
N-Channel IGBT
Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO247
N-Channel IGBT с диодом
TO-247
N-Channel IGBT с диодом
TO264
GT60M301
900V, 60A 200W
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
GT40RR22
1200V, 40A
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-247.
RJH60F4DPQ-A0
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-247.
N-Channel IGBT с диодом
TO247
FGH40N65UFD
650V, 40A
N-Channel IGBT с диодом
Fairchild Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220SIS
GT45G128
N-Channel IGBT
Toshiba Semiconductor
Есть в наличии