Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT) > N-Channel IGBT с диодом
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
1 2
1 2
всего найдено 63 позиций
SGH20N60UFD
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fairchild Semiconductor
TO-3PN
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
KGT25N120NDH |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 25A
Unknown Brand
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|
FGA40N65SMD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fairchild
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
SGT40N60NPFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|
GT40RR21 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
STGWT40V60DF
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
ST Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1300 т.
Товар в корзине
|
STGWT60V60DF
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
ST Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
GT40RR22 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 40A
Toshiba Semiconductor
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
SGH30N60RUFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fairchild Semiconductor
TO-3PN
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFU |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
TGAN50N60SFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Trinno Technology
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1100 т.
Товар в корзине
|
GT50JR22 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1900 т.
Товар в корзине
|
TGAN30N135FD1 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Trinno Technology
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
BT30N60ANF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFK |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1800 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT40N60BNF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
TGAN60N60F2DS |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A, 347/139W
Trinno Technology
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1700 т.
Товар в корзине
|
CRG60T60AN3H
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A, 403W
CRMicro
TO-3PN
|
Купить
1750 т.
Товар в корзине
|
MGD623N |
N-Channel IGBT с диодом
Trench IGBT with Fast Recovery Diode
600V, 37A,
SanKen Electric
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SP25N135T |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
XinerSemi (Shenzhen Invsemi Co., Ltd)
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
2300 т.
Товар в корзине
|
SGT40N60NPFDPN |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Semiconductors
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SGT60T65FD1PN <60T65FD> |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1200 т.
Товар в корзине
|