Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 260 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
MIP418AMD
|
TO-220IPD7-A2
|
|
IPD (Intelligent Power Devices) |
Купить
1000 т.
|
|
|
2SB1440 <1I>
|
MiniP3-F1
|
|
PNP | -50V, -2A, 1W, |
Купить
300 т.
|
|
2SB1154
|
SOT199
|
|
PNP |
Купить
1500 т.
|
|
|
2SD1705
|
SOT199
|
|
NPN |
Купить
2000 т.
|
|
|
MIP286A
|
Unknown
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
MDF13NM65B
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
|
2SD1211
|
TO92FullPak
|
|
NPN | 120V, 0,5A, 1W |
Купить
250 т.
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 12,8A, 105mΩ |
Купить
250 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 11A, 0,38Ω, 28nC |
Купить
500 т.
|
|
|
2SK1259
|
TOP-3L
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 100A, 0,012Ω, 150W |
Купить
0 т.
|
TO-247_MC
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 650V, 60A |
Купить
2000 т.
|
|
|
AN16528A
|
TQFP128
|
|
Купить
3500 т.
|
||
TO220FP
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 11,5A, 0,65Ω |
Купить
350 т.
|
|
SOT223
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 0,85A, 1,35Ω |
Купить
250 т.
|
|
|
MIP0222SY
|
TO220AB
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs). Silicon MOS IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
MIP0223SY
|
TO220AB
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs). Silicon MOS IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
MIP3E5MY
|
TO220AB
|
|
Купить
1200 т.
|
||
|
MIP3E7DMY
|
TO220AB
|
|
Купить
1150 т.
|
||
SS-mini
|
|
Switching Diodes | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
SOIC8
|
|
Dual P-Channel |
Купить
0 т.
|
||
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 25A, 15mΩ |
Купить
0 т.
|
|
SOT23
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -20V, -2A, 92mΩ, 700mW |
Купить
0 т.
|
|
|
DA3DF50ACSLW
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
1300 т.
|
||
|
DG3D3020CVLW
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 250A |
Купить
1100 т.
|
DPAK (TO252AA)
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -43A, 17mΩ |
Купить
550 т.
|
|
|
MAP3202SIRH
|
SO14
|
|
Купить
600 т.
|
||
TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 650V, 40A, 188W |
Купить
1400 т.
|
|
|
2SB1398
|
MT-2-A1
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
2SC5914
|
ISOWATT218
|
|
NPN |
Купить
800 т.
|
|
|
MDF9N60
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
| TO220F
|
|
500V, 5A, 1,4Ω |
Купить
т.
|
||
TOP-3F-A1
|
|
PNP Дарлингтон | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
| TO220FP
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 11A, 0,55Ω |
Купить
т.
|
|
|
MAP3201
|
SO14
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
MAP3249SIRH
|
SO16
|
|
4-channel LED Driver for High Brightness LEDs | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
PowerDFN56
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 100A, 2,4mΩ |
Купить
450 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 700V, 0,6Ω, 23nC |
Купить
400 т.
|
|
|
MDF9N60B
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 67,4A, 5,6mΩ |
Купить
350 т.
|
|
|
AN8352UBK
|
DIP22-300
|
|
Купить
7000 т.
|
||
|
MDP7N60
|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
250 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel с диодом | 60V, 4,5A, 50mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
MIP4140MD
|
TO-220IPD7-A2
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs) | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
MDU1415
|
Unknown
|
|
Купить
0 т.
|
||
| TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 36A, 22mΩ |
Купить
0 т.
|
|
|
2SD2136
|
MT-3-A1
|
|
NPN | 60V, 3A, |
Купить
0 т.
|
SOT89
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 60V, ±1A, 0,72Ω, 1W |
Купить
0 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 12A, 12mΩ |
Купить
400 т.
|
|
|
2SC1518
|
TO92FullPak
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
DN6839
|
SSIP003-P-0000A
|
|
Hall IC (Switch Type) | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 28,2A, 4,0mΩ |
Купить
400 т.
|
|
DIP7
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
1000 т.
|
||
| SOIC8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 16,9A, 10,1mΩ |
Купить
400 т.
|
|
|
DA3DF50ACSLW
|
TO220F
|
|
Купить
1400 т.
|
||
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 650V Field Stop IGBT |
Купить
2000 т.
|
|
TO264
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 1200V, 40A, 135ns, 200W |
Купить
1500 т.
|
|
|
HB6298B
|
TSSOP20
|
|
Купить
800 т.
|
||
PDIP4 (DIP4-300-2.54)
|
|
Оптотранзистор | Optoisolator |
Купить
600 т.
|
|
IPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 700V, 5A, 0,9Ω, 15nC |
Купить
0 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 750V, 5A, 0,9Ω, 15nC |
Купить
700 т.
|
|
| SOIC8
|
|
N-Channel +D & P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
2SC4960
|
SOT199
|
|
NPN |
Купить
800 т.
|
|
|
DG3C3010
|
TO220F
|
|
Купить
350 т.
|
||
|
2SC1318
|
TO92
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
100 т.
|
| IPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 400V, 3,4A, 1,6Ω |
Купить
0 т.
|
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
| TO220F
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
2SC2631
|
TO92
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
100 т.
|
|
MDD3752
|
DPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
350 т.
|
|
TO-220.
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 36A, 22mΩ |
Купить
500 т.
|
|
| DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 11A, 0,38Ω, 21,8nC |
Купить
550 т.
|
|
| TO-220.
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 120A, 5,9mΩ |
Купить
0 т.
|
|
|
MIP2G4MD
|
TO-220-7C
|
|
Купить
1000 т.
|
||
|
2SD1258
|
TO262
|
|
NPN triple diffusion | 150V, 1A |
Купить
850 т.
|
DIP7-A1
|
|
High-Performance IPD with Frequency Jitter for Small Charger/Adapter: MIP2Kx Series |
Купить
800 т.
|
||
|
MIP2E2D
|
DIP8-A1(CF)
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
| SOIC8
|
|
Dual N-Channel Trench MOSFET | 30V, 7,5A, 22mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
DG501RP
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
900 т.
|
||
TO-220F
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 650V, 15A, |
Купить
750 т.
|
|
PDFN56
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 100A, 1,0mΩ |
Купить
т.
|
