Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 363 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 6A |
Купить
350 т.
|
||
DS1230AB-70IND+
|
MDT28+3
|
256k Nonvolatile SRAM | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TO-3P(Q)
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 7A |
Купить
750 т.
|
||
2SC4276
|
TO-3PN
|
NPN |
Купить
0 т.
|
||
DS1302T+
|
DIP8-300
|
Купить
300 т.
|
|||
DS1820
|
TO92
|
1–WireTM Digital Thermometer |
Купить
650 т.
|
||
DS2413
|
TSOC6
|
Купить
0 т.
|
|||
FA5540
|
SOIC8
|
Switching Power Supply Control IC |
Купить
0 т.
|
||
TO-3P(Q)
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 6A |
Купить
700 т.
|
||
FMV08N60E
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
||
TO92
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
|||
FGW75N60HD <75G60HD>
|
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
0 т.
|
||
DS1306N
|
SSOP20
|
Купить
2000 т.
|
|||
YG802C06
|
TO220F
|
Schottky | 10A |
Купить
300 т.
|
|
TO220F
|
SCHOTTKY BARRIER DIODE | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
YG902C2
|
TO220F
|
Купить
350 т.
|
|||
YG902N2
|
TO220F
|
Купить
0 т.
|
|||
FA5518
|
DIP8-300
|
Купить
0 т.
|
|||
FA23842
|
SOIC8
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
900 т.
|
||
2SC3866
|
TO220(STM)
|
NPN |
Купить
300 т.
|
||
TO264
|
N-Channel IGBT | 1200V, 25A |
Купить
850 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 6A, 2,5Ω, 50W |
Купить
750 т.
|
||
FA5705P
|
DIP8-300
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
650 т.
|
||
FA5760N <5760>
|
SO16
|
Купить
1350 т.
|
|||
DS1340U-33+ <1340 A3-33>
|
8μ SOP
|
I2C RTC with Trickle Charger | Тех. описание(PDF) |
Купить
1700 т.
|
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 700V, ±10A, 0,91Ω, 80W |
Купить
650 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 120V, ±50A, 32mΩ, 150W |
Купить
0 т.
|
||
TO-3P(Q)
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 21A |
Купить
850 т.
|
||
FMV11N60ES
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 11A |
Купить
0 т.
|
|
FA5696N
|
SOIC8
|
Power Factor Correction | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 450V, ±8A, 1,2Ω, 50W |
Купить
0 т.
|
||
DS2408
|
Unknown
|
Купить
0 т.
|
|||
FA5695
|
SOIC8
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TO-247
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 600V, 30A, 30ns |
Купить
1200 т.
|
||
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1300 т.
|
||
FA6A01
|
SO16
|
Купить
500 т.
|
|||
2SC2527
|
TO220AB
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
|
ISO220-2
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 600V, 10A |
Купить
400 т.
|
||
DS1811R-10 <811B>
|
SOT23
|
Формирователь импульса сброса / 5V EconoReset with Open Drain Output | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
FMI2N50E
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
||
DS2401
|
TO92
|
Silicon Serial Number |
Купить
500 т.
|
||
FA5500AN
|
SOIC8
|
Power Factor Correction | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
FA5510P
|
DIP8-300
|
CMOS IC For Switching Power Supply Control | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
2SC4242
|
TO-220-3
|
NPN |
Купить
350 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 20A, 0,08Ω, 50W |
Купить
550 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 21A |
Купить
0 т.
|
||
ESAD92-03
|
TO-3P(Q)
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 300V, 20A |
Купить
650 т.
|
|
DS1669S-50
|
SOT23-8
|
Electronic Digital Rheostat |
Купить
0 т.
|
||
DS80C320-MNG
|
DIP40-600
|
Микроконтроллер. High-Speed/Low-Power Microcontrollers (Speed ItµP) | Тех. описание(PDF) |
Купить
2500 т.
|
|
FA5550
|
SOIC8
|
Купить
700 т.
|
|||
TO-242-P2
|
N-Channel с диодом (Super J-MOS) | 600V, |
Купить
0 т.
|
||
D83-006
|
TO-3PN
|
Купить
550 т.
|
|||
TO220F
|
High Voltage Schottky barrier diode | 150V, 10A |
Купить
0 т.
|
||
DS12887+
|
24-EDIP
|
Часы реального времени RTC. Real-Time Clocks |
Купить
2500 т.
|
||
DS1233D-5+
|
TO92
|
Supervisor 5V EconoReset | 4,625V |
Купить
0 т.
|
|
DS1233-5+
|
TO92
|
Supervisor 5V EconoReset | 4,625V |
Купить
0 т.
|
|
FA5517
|
SOIC8
|
Купить
750 т.
|
|||
FA6A20N-C6-L3
|
SO16
|
Купить
800 т.
|
|||
TO247.
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, ±25A, 0,2Ω, 335W |
Купить
1200 т.
|
||
2SC4419
|
SC-65
|
NPN |
Купить
600 т.
|
||
16N55G
|
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
Unknown
|
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся) | 1500V, 1A; FAST RECOVERY DIODE |
Купить
0 т.
|
||
DS2415
|
TSOC6
|
Купить
0 т.
|
|||
DS2417
|
TSOC6
|
Купить
0 т.
|
|||
IPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 10A, 0,1Ω, 20W, 500pF |
Купить
650 т.
|
||
TO-247
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
DS1669S-50
|
SOP8-208mil
|
Electronic Digital Rheostat |
Купить
700 т.
|
||
TO220AB
|
High Voltage Schottky barrier diode | 120V, 20A |
Купить
450 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 11A |
Купить
750 т.
|
||
YG982S6
|
ISO220-2
|
Купить
450 т.
|
|||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 22A (Super J-MOS) |
Купить
1350 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
250 т.
|
||
TO-3P(Q)
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 9A, 1,16Ω |
Купить
650 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 11A |
Купить
1200 т.
|
||
TO220F
|
High Voltage Schottky barrier diode | 150V, 20A |
Купить
350 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 450V, 10A, 0,5Ω, 100W |
Купить
800 т.
|
||
FMV16N55G
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|
||
2-16F1A
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 65A |
Купить
1200 т.
|
||
2SD1071
|
TO-220-3
|
NPN Darlington с диодом |
Купить
1000 т.
|