Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 334 позиций
FA6B22N-C6-L3 <6B22>
|
Микросхемы прочие
Fuji Electric
SO16
Есть в наличии
|
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
GBJ2008
|
Выпрямительные мосты
BRIDGE RECTIFIER
800V, 20A
SEP ELECTRONIC CORP.
Case : 5S
Есть в наличии
|
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
FGW50G65WD <50G65WD>
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric
TO-247
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
FGW50N65WE <50N65WE>
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric
TO-247
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
YA868C12R
|
Диоды Шоттки
High Voltage Schottky barrier diode
120V, 30A
Fuji Electric
TO-220-3
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
FA6B19N-N6-L3
|
Микросхемы прочие
Fuji Electric
SO16
|
|
Купить
3300 т.
Товар в корзине
|
BR5010
|
Выпрямительные мосты
SEP ELECTRONIC CORP.
GBPC50
Есть в наличии
|
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
FMV19N60E
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
TO-220F(SLS)
Есть в наличии
|
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
FA5541B
|
Микросхемы прочие
Fuji Electric
SOIC8
Есть в наличии
|
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
2SC2624
|
NPN
NPN
Fuji Electric
TO-3PN
|
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|
FA5522
|
Микросхемы прочие
Fuji Electric
SOIC8
Есть в наличии
|
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|
FMV09N90E
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
TO-220F(SLS)
Есть в наличии
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SJ473-01L
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
IPAK
Есть в наличии
|
|
Купить
650 т.
Товар в корзине
|
2W10
|
Выпрямительные мосты
1000V, 2A,
SEP ELECTRONIC CORP.
WOB
Есть в наличии
|
|
Купить
250 т.
Товар в корзине
|