|
|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 335 позиций
Диоды быстрые
YG981S6R
Low-Loss Fast Recovery Diode
Fuji Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
2SK1821-01M
600V, 2A, 6,5Ω, 30W
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
Нет в наличии
Микросхемы прочие
FA6B22N-C6-L3 <6B22>
Fuji Electric
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
FGW50G65WD <50G65WD>
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric
Нет в наличии
N-Channel IGBT с диодом
FGW50N65WE <50N65WE>
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric
Нет в наличии
PNP
2SA1980-G
-50V, -150mA, 200~400
PNP
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
Есть в наличии
Диоды Шоттки
YA868C12R
120V, 30A
High Voltage Schottky barrier diode
Fuji Electric
Нет в наличии
Диоды Шоттки
SBL30U100
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
Нет в наличии
Микросхемы прочие
FA6B19N-N6-L3
Fuji Electric
Нет в наличии
N-Channel с диодом
FMV19N60E
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
Есть в наличии
Микросхемы прочие
FA5541B
Fuji Electric
Есть в наличии
NPN
2SC2624
NPN
Fuji Electric
Нет в наличии
Микросхемы прочие
FA5522
Fuji Electric
Есть в наличии
N-Channel с диодом
FMV09N90E
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
Есть в наличии
P-Channel с диодом
2SJ473-01L
P-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
Есть в наличии
|