Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 306 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
FMI2N50E
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
|
FA5500AN
|
SOIC8
|
|
Power Factor Correction | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
FA5510P
|
DIP8-300
|
|
CMOS IC For Switching Power Supply Control | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
2SC4242
|
TO-220-3
|
|
NPN |
Купить
350 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 20A, 0,08Ω, 50W |
Купить
550 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 21A |
Купить
0 т.
|
|
|
ESAD92-03
|
TO-3P(Q)
|
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER |
Купить
650 т.
|
|
|
FA5550
|
SOIC8
|
|
Купить
700 т.
|
||
TO-242-P2
|
|
N-Channel с диодом (Super J-MOS) | 600V, |
Купить
0 т.
|
|
|
D83-006
|
TO-3PN
|
|
Купить
550 т.
|
||
| TO220F
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 150V, 10A |
Купить
0 т.
|
|
|
FA5517
|
SOIC8
|
|
Купить
750 т.
|
||
|
FA6A20N-C6-L3
|
SO16
|
|
Купить
800 т.
|
||
TO247.
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, ±25A, 0,2Ω, 335W |
Купить
1200 т.
|
|
|
2SC4419
|
SC-65
|
|
NPN |
Купить
600 т.
|
|
|
16N55G
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
|
Unknown
|
|
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся) | 1500V, 1A; FAST RECOVERY DIODE |
Купить
0 т.
|
|
IPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 10A, 0,1Ω, 20W, 500pF |
Купить
650 т.
|
|
TO-247
|
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TO220AB
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 120V, 20A |
Купить
450 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 11A |
Купить
750 т.
|
|
|
YG982S6
|
ISO220-2
|
|
Купить
450 т.
|
||
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 22A (Super J-MOS) |
Купить
1350 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
250 т.
|
|
| TO-3P(Q)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 9A, 1,16Ω |
Купить
650 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 11A |
Купить
1200 т.
|
|
| TO220F
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 150V, 20A |
Купить
350 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 450V, 10A, 0,5Ω, 100W |
Купить
800 т.
|
|
|
FMV16N55G
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|
|
2-16F1A
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 65A |
Купить
1200 т.
|
|
|
2SD1071
|
TO-220-3
|
|
NPN Darlington с диодом |
Купить
1000 т.
|
|
| TO220AB
|
|
NPN Darlington с диодом | 450V, 5A |
Купить
450 т.
|
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 10A, 0,1Ω, 20W, 500pF |
Купить
650 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-Channel с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
550 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, ±3,7A |
Купить
550 т.
|
|
|
2SC3318
|
TO-3PN
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
ESAC25-02C
|
TO-220-3
|
|
FAST RECOVERY DIODE |
Купить
450 т.
|
|
| SC-65
|
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 300V, 20A |
Купить
650 т.
|
|
|
F5033
|
SOIC8
|
|
Intellegent Power MOSFET (Automotive) | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
FA5500A
|
SOIC8
|
|
Power Factor Correction |
Купить
500 т.
|
|
|
YA865C5CT
|
TO-220-3
|
|
High Voltage Schottky barrier diode |
Купить
0 т.
|
|
|
YG865C10
|
TO220F
|
|
Schottky | 100V, 20A |
Купить
350 т.
|
| 2-16F1A
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, ±16A |
Купить
0 т.
|
|
|
16N55G
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
|
| TO-3P(Q)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1000 т.
|
|
|
FMV16N50ES <16N50E>
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|
|
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT | 1200V, 40A |
Купить
2200 т.
|
|
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 50A |
Купить
1400 т.
|
|
|
2SK3264-01MR
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 7A |
Купить
т.
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, ±19A, 0,29Ω |
Купить
т.
|
|
|
FA6B20N-C6-L3 (FA6B20-C6-L3) <6B20>
|
SO16
|
|
CRM PFC Control IC / LLC Current Resonant Control IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
750 т.
|
|
F5020
|
K-pack(s)
|
|
Intellegent Power MOSFET (Automotive) |
Купить
1100 т.
|
|
TO262
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, ±33A, 54mΩ |
Купить
т.
|
|
| TO262
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, ±6A, 1,92Ω, 195W |
Купить
650 т.
|
|
|
FA1A61N-C6-L3 <1A61>
|
SOIC8
|
|
Купить
т.
|
||
|
FGW50G60WQ <50G60WQ> ◙
|
TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
|
TO-220F5
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, ±70A, 6,5mΩ, 70W |
Купить
т.
|
|
|
YG981S6R
|
ISO220-2
|
|
Low-Loss Fast Recovery Diode |
Купить
750 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 2A, 6,5Ω, 30W |
Купить
700 т.
|
|
|
FA6B22N-C6-L3 <6B22>
|
SO16
|
|
Купить
1500 т.
|
||
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
||
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
||
| TO-220-3
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 120V, 30A |
Купить
т.
|
|
|
FA6B19N-N6-L3
|
SO16
|
|
Купить
т.
|
||
TO-220F(SLS)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
1350 т.
|
||
|
FA5541B
|
SOIC8
|
|
Купить
т.
|
