Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
C3D16060D
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
всего найдено 179 позиций
N-Channel IGBT с диодом
TO247_IX
Диоды ультрабыстрые
SOIC8N
IXDD404SI
Dual Non Inverting With Enable. 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver
IXYS Corporation
Микросхемы прочие
Fig.8
Тринисторы (трехэлектродные тиристоры)
TO-247AD.
N-Channel с диодом
TO-247
IXTH80N65X2
650V, 80A, 38mΩ, 890W
N-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
N-Channel с диодом
TO-247
IXTH48N52X2
N-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
Диоды Шоттки
TO-247-3
C3D16060D
600V, 22A, 42nC
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER
N-Channel IGBT с диодом
TO-247 AD
IXEH40N120D1
1200V, 60A,
N-Channel IGBT с диодом
IXYS Corporation
N-Channel IGBT
TO-247 AD
IXEH40N120
1200V, 60A,
N-Channel IGBT
IXYS Corporation
N-Channel с диодом
TO-3PN
IXTQ74N20P
200V, 74A, 34mΩ, 480W, 3300pF
N-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
N-Channel с диодом
TO-220-3
IXTP75N10P
100V, 75A, 25mΩ, 360W, 2250pF
N-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
N-Channel с диодом
TO220AB
IXFP34N65X2
650V, 34A, 100mΩ, 540W, 3230pF
N-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
Оптореле
i4-PAC
CPC1977J
600V, 1,25A
600V Single-Pole, Normally Open Power Relay
IXYS Corporation
P-Channel с диодом
TO220
IXTP44P15T
-150V, -44A, 65mΩ,
P-канальный MOSFET с диодом
IXYS Corporation
Есть в наличии
Диоды Шоттки
TO-220-2
C3D04060A
600V, 7,5A, 8,5nC
Silicon Carbide Schottky Diode
CREE POWER