Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 179 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
TO247_IX
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 30A, 32ns |
Купить
1000 т.
|
|
|
IXDD404SI
|
SOIC8N
|
|
Dual Non Inverting With Enable. 4 Amp Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Driver | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
Fig.8
|
|
30A Low-Side RF MOSFET Driver | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
TO-247AD.
|
|
Тиристор / Single Thyristor | 45A, 1600V, IGTMAX = 100mA |
Купить
3000 т.
|
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 850V, 3,5A, 2,5Ω, 150W, 247pF |
Купить
т.
|
|
|
DN4025SIA
|
SOP8
|
|
Купить
т.
|
||
|
IXTH80N65X2
|
TO-247
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 80A, 38mΩ, 890W |
Купить
т.
|
|
IXTH48N52X2
|
TO-247
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
|
TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 22A, 42nC |
Купить
т.
|
|
TO220-2
|
|
High Performance Fast Recovery Diode | 200V, 15A, 35ns |
Купить
т.
|
|
TO-247 AD
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 1200V, 60A, |
Купить
2000 т.
|
|
| TO-247 AD
|
|
N-Channel IGBT | 1200V, 60A, |
Купить
2000 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 74A, 34mΩ, 480W, 3300pF |
Купить
т.
|
|
TO-220-3
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 75A, 25mΩ, 360W, 2250pF |
Купить
700 т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 76A, 22mΩ, 350W, 5800pF |
Купить
т.
|
|
| TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 34A, 100mΩ, 540W, 3230pF |
Купить
т.
|
|
i4-PAC
|
|
600V Single-Pole, Normally Open Power Relay | 600V, 1,25A |
Купить
т.
|
|
TO220
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -150V, -44A, 65mΩ, |
Купить
1500 т.
|
|
TO-220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 7,5A, 8,5nC |
Купить
т.
|
