Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 469 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
TO220F
|
|
SCHOTTKY BARRIER DIODE | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
|
DN8899S
|
ESOP004-P-0200
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
YG902C2
|
TO220F
|
|
Купить
350 т.
|
||
|
YG902N2
|
TO220F
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
DN8899TE
|
SSIP003-P-0000B
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
DN8899SE
|
SSIP003-P-0000C
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
|
FA5518
|
DIP8-300
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
FA23842
|
SOIC8
|
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
900 т.
|
|
|
AN16388A
|
Unknown
|
|
Купить
1500 т.
|
||
|
AN16389A
|
TQFP128
|
|
Купить
2000 т.
|
||
|
DG501RP
|
TO220F
|
|
Купить
900 т.
|
||
|
DG502RP
|
TO220F
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
2SC3866
|
TO220(STM)
|
|
NPN |
Купить
300 т.
|
|
|
MIP2M40MS
|
DIP8B
|
|
Купить
850 т.
|
||
IPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 550V, ±1,2A, 5,3Ω |
Купить
700 т.
|
|
|
B1HFPFA00001 B1HFGDA00001 <74>
|
SOT23-5
|
|
Купить
600 т.
|
||
TO264
|
|
N-Channel IGBT | 1200V, 25A |
Купить
850 т.
|
|
TOP-3E-A1
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 200V, 50A, 29mΩ, 100W |
Купить
1650 т.
|
|
|
DN6851
|
SSIP003-P-0000A
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 6A, 2,5Ω, 50W |
Купить
750 т.
|
|
|
FA5705P
|
DIP8-300
|
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
650 т.
|
|
|
FA5760N <5760>
|
SO16
|
|
Купить
1350 т.
|
||
|
MIP418AMD
|
TO-220IPD7-A2
|
|
IPD (Intelligent Power Devices) |
Купить
1000 т.
|
|
|
2SB1440 <1I>
|
MiniP3-F1
|
|
PNP | -50V, -2A, 1W, |
Купить
300 т.
|
|
2SB1154
|
SOT199
|
|
PNP |
Купить
1500 т.
|
|
|
2SD1705
|
SOT199
|
|
NPN |
Купить
2000 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 700V, ±10A, 0,91Ω, 80W |
Купить
650 т.
|
|
|
MIP286A
|
Unknown
|
|
Купить
0 т.
|
||
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 120V, ±50A, 32mΩ, 150W |
Купить
0 т.
|
|
TO-3P(Q)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 21A |
Купить
850 т.
|
|
|
2SD1211
|
TO92FullPak
|
|
NPN | 120V, 0,5A, 1W |
Купить
250 т.
|
|
FMV11N60ES
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 11A |
Купить
0 т.
|
|
FA5696N
|
SOIC8
|
|
Power Factor Correction | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
2SK1259
|
TOP-3L
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 100A, 0,012Ω, 150W |
Купить
0 т.
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 450V, ±8A, 1,2Ω, 50W |
Купить
0 т.
|
|
|
FA5695
|
SOIC8
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TO-247
|
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 600V, 30A, 30ns |
Купить
1200 т.
|
|
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1300 т.
|
|
|
FA6A01
|
SO16
|
|
Купить
500 т.
|
||
|
AN16528A
|
TQFP128
|
|
Купить
3500 т.
|
||
|
MIP0222SY
|
TO220AB
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs). Silicon MOS IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
MIP0223SY
|
TO220AB
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs). Silicon MOS IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
MIP3E5MY
|
TO220AB
|
|
Купить
1200 т.
|
||
|
MIP3E7DMY
|
TO220AB
|
|
Купить
1150 т.
|
||
|
2SC2527
|
TO220AB
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
SS-mini
|
|
Switching Diodes | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
ISO220-2
|
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 600V, 10A |
Купить
400 т.
|
|
SOT23
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -20V, -2A, 92mΩ, 700mW |
Купить
0 т.
|
|
|
DA3DF50ACSLW
|
TO-220F LG-formed
|
|
Купить
1300 т.
|
||
|
DG3D3020CVLW
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT | 300V, 250A |
Купить
1100 т.
|
|
FMI2N50E
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
300 т.
|
|
|
FA5500AN
|
SOIC8
|
|
Power Factor Correction | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
FA5510P
|
DIP8-300
|
|
CMOS IC For Switching Power Supply Control | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
2SB1398
|
MT-2-A1
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
2SC4242
|
TO-220-3
|
|
NPN |
Купить
350 т.
|
|
|
2SC5914
|
ISOWATT218
|
|
NPN |
Купить
800 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, 20A, 0,08Ω, 50W |
Купить
550 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 21A |
Купить
0 т.
|
|
|
ESAD92-03
|
TO-3P(Q)
|
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 300V, 20A |
Купить
650 т.
|
TOP-3F-A1
|
|
PNP Дарлингтон | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
|
FA5550
|
SOIC8
|
|
Купить
700 т.
|
||
TO-242-P2
|
|
N-Channel с диодом (Super J-MOS) | 600V, |
Купить
0 т.
|
|
|
D83-006
|
TO-3PN
|
|
Купить
550 т.
|
||
| TO220F
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 150V, 10A |
Купить
0 т.
|
|
|
AN8352UBK
|
DIP22-300
|
|
Купить
7000 т.
|
||
|
FA5517
|
SOIC8
|
|
Купить
750 т.
|
||
|
FA6A20N-C6-L3
|
SO16
|
|
Купить
800 т.
|
||
TO247.
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, ±25A, 0,2Ω, 335W |
Купить
1200 т.
|
|
|
2SC4419
|
SC-65
|
|
NPN |
Купить
600 т.
|
|
|
16N55G
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
|
| Unknown
|
|
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся) | 1500V, 1A; FAST RECOVERY DIODE |
Купить
0 т.
|
|
|
MIP4140MD
|
TO-220IPD7-A2
|
|
Intelligent Power Devices (IPDs) | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
| IPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 10A, 0,1Ω, 20W, 500pF |
Купить
650 т.
|
|
|
2SD2136
|
MT-3-A1
|
|
NPN | 60V, 3A, |
Купить
0 т.
|
| TO-247
|
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
SOT89
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 60V, ±1A, 0,72Ω, 1W |
Купить
0 т.
|
|
|
2SC1518
|
TO92FullPak
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
DN6839
|
SSIP003-P-0000A
|
|
Hall IC (Switch Type) | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
| TO220AB
|
|
High Voltage Schottky barrier diode | 120V, 20A |
Купить
450 т.
|
