Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

  • 1
  • 2
  •  всего найдено 61 позиций 

    S1H2131X01-XO

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    Unknown
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    135 т.
    Товар в корзине

    KSP2907A

    PNP
    PNP switching transistor
    SAMSUNG
    TO92
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    70 т.
    Товар в корзине

    KSP92

    PNP
    PNP
    SAMSUNG
    TO92
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    30 т.
    Товар в корзине

    S1H2915A01-D0

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    DIP28-600
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    250 т.
    Товар в корзине

    KA22103

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    ZIP17(H)
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    KA8309

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    QFP48-1010D
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    600 т.
    Товар в корзине

    KA2186

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    DIP8-300
    Нет в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    S1A2297B01-D0

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    DIP16
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    S1A0426C01-SO

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    SOP28-375
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    400 т.
    Товар в корзине

    KA9411

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    SMD
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    2SD5072

    NPN
    NPN
    SAMSUNG
    ISOWATT218
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    170 т.
    Товар в корзине

    S3F880AXZZ-AQ9A

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    Unknown
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    S3F880AXZZ-AQBA

    Микросхемы прочие
    SAMSUNG
    Unknown
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    H5N2517FN

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    250V, 20A, 30W
    Renesas Technology
    TO-220F LG-formed
    Есть в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    850 т.
    Товар в корзине

    2SK1070

    N-Channel (обработка)
    N-Channel Junction FET
    Renesas Technology
    SOT89
    Есть в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    1400 т.
    Товар в корзине

    2SC2316-Y

    NPN
    NPN
    SAMSUNG
    TO92M
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    SSU2N60TU

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    SAMSUNG
    I-PAK
    Есть в наличии
    SAMSUNG
    Купить
    500 т.
    Товар в корзине

    H7N1004DS

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
    100V, 25A, 25mΩ
    Renesas Technology
    DPAK
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине

    RJP6065DPM

    N-Channel IGBT
    N-Channel IGBT
    630V, ±30A, 50W
    Renesas Technology
    TO-3PFM.
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине

    2SK1070PIDTL-E

    N-Channel (обработка)
    N-Channel Junction FET
    Тех. описание(PDF)
    Renesas Technology
    SOT23
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    H5N5001FM

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
    Renesas Technology
    TO–220FM
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине
  • 1
  • 2