Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 

H5N2517FN

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
250V, 20A, 30W
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
Renesas Technology
Купить
850 т.
Товар в корзине

2SK1070

N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
Renesas Technology
Купить
1400 т.
Товар в корзине

H7N1004DS

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
100V, 25A, 25mΩ
Renesas Technology
DPAK
Нет в наличии
Renesas Technology
Товар в корзине

RJP6065DPM

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
630V, ±30A, 50W
Renesas Technology
TO-3PFM.
Нет в наличии
Renesas Technology
Товар в корзине

2SK1070PIDTL-E

N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Тех. описание(PDF)
Renesas Technology
SOT23
Нет в наличии
Renesas Technology
Купить
0 т.
Товар в корзине

H5N5001FM

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
Renesas Technology
TO–220FM
Нет в наличии
Renesas Technology
Товар в корзине