Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 195 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
TO263
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V, -15A, 0,075Ω, 50W |
Купить
750 т.
|
|
SOT23
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive) | 40V, 1A, 0,25Ω, 400mW |
Купить
250 т.
|
|
TO220FM
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
550 т.
|
|
|
RJH60F4DPQ-A0
|
TO247
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
1200 т.
|
|
|
RJP3034
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
650 т.
|
|
| TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
|
RJP30Y2ADPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
600 т.
|
|
|
RJP4046DPP
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
650 т.
|
|
|
RJP63F4A
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1000 т.
|
|
LDPAK(L)
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
|
RJP3065
|
TO220F
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
500 т.
|
|
|
RJH60F4DPQ-A0
|
TO-247.
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
800 т.
|
|
|
2SK1636
|
TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 15A |
Купить
650 т.
|
RP8P
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
2200 т.
|
|
SOT89
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
|
| TO263
|
|
Triac | 600V, 10A |
Купить
600 т.
|
|
SOIC8
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
||
SOT669 (LFPAK; Power-SO8)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 30A, 6,7mΩ |
Купить
700 т.
|
|
LDPAK(S)
|
|
N-Channel Ignition IGBT | 370V, 14A |
Купить
600 т.
|
|
CASE 221C-02 STYLE 3
|
|
Thyristor | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
| TO220F
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 12A |
Купить
450 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 17A, 70ns, 5Ω |
Купить
550 т.
|
|
LDPAK(S)-(1)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 5A |
Купить
650 т.
|
|
|
RJP63E4
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
400 т.
|
|
|
RJP63G4DPE
|
TO263
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
1100 т.
|
|
WPAK(3F)
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 35A, 4,0mΩ |
Купить
т.
|
|
|
RJP63G4
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
0 т.
|
|
|
UPD78F0513A
|
QFP48
|
|
Купить
1200 т.
|
||
|
R2A20299FT
|
Unknown
|
|
Купить
3400 т.
|
||
TO-247
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 1200V, 35A |
Купить
т.
|
|
LDPAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V, -20A, 0,042Ω, 75W |
Купить
600 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 1500V, 2,5A, 9Ω, 100W |
Купить
1500 т.
|
|
| TO263
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 360V, 35A, 60W |
Купить
500 т.
|
|
|
HA17324A
|
DIP14
|
|
Quad Low Power Operational Amplifiers |
Купить
650 т.
|
|
|
RAA252013
|
QFP-100
|
|
Automotive |
Купить
6000 т.
|
