Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
2SK3000
всего найдено 204 позиций
N-Channel IGBT с диодом
TO-247
RJH60F7ADP
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SOIC8
R2A20133BSP <0133>
Critical Conduction Mode PFC Control IC
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-3PN
Симисторы (симметричные тиристоры, Triac)
TO92
BCR1AM-12
RENESAS
Есть в наличии
P-Channel с диодом
TO263
N-Channel с диодом +Zener-protected (Automotive)
SOT23
2SK3000
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive)
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO247
RJH60F4DPQ-A0
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP3034
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-220F LG-formed
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP30Y2ADPP
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP63F4A
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
LDPAK(L)
N-Channel IGBT с диодом
TO-247.
RJH60F4DPQ-A0
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
RP8P
N-Channel с диодом
SOT89
Симисторы (симметричные тиристоры, Triac)
TO263
N-Channel с диодом
SOT669 (LFPAK; Power-SO8)
Тринисторы (трехэлектродные тиристоры)
CASE 221C-02 STYLE 3
N-Channel IGBT с диодом
TO220F
N-Channel IGBT с диодом
TO220F
N-Channel с диодом
LDPAK(S)-(1)
N-Channel IGBT
TO263
RJP63G4DPE
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SOIC8
SM8002
Shenzhen Sunmoon Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
WPAK(3F)
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP63G4
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-247
P-Channel с диодом
LDPAK
2SJ552L
-60V, -20A, 0,042Ω, 75W
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
RENESAS
Есть в наличии