Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
Нет в наличии
TSM2309CX
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
всего найдено 222 позиций
N-Channel с диодом
TO-220CFM(I)
AP2765I-A-HF
650V, 8A, 0,85Ω, 36,7W
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
N-Channel с диодом
TO-220CFM(I)
AP2764I-A
680V, 9A, 1,1Ω, 37W
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
P-Channel с диодом
TO-252
AP15P10GH <15P10GH>
-100V, -16A, 210mΩ
P-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
N-Channel +D & P-Channel +D
TO-252-4L
AP4513GH-HF
N-Channel +D & P-Channel +D
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
Диоды Шоттки
DO-201AD
SR304
40V,
Schottky Barrier Rectifier
Taiwan Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
PMPAK® 5x6L
AP3R303GMT-L <3R303GMT>
30V, 105A, 3,3mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-252(H)
AP3N9R5H <3N9R5>
30V, 37,8A, 9,5mΩ, 22,7W
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
N-Channel с диодом
TO-252
AP15T15GH
150V, 11,2A, 150mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
P-Channel с диодом
SOT-23
TSM2309CX
-60V, -2A, 190mΩ
P-Channel Power MOSFET
Taiwan Semiconductor
Есть в наличии
P-Channel с диодом
TO220AB
AP40P03GP <40P03GP>
-30V, -30A, 28mΩ
P-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO220F
TSM60NB190CF
600V, 18A, 0,19Ω
N-канальный MOSFET с диодом
Taiwan Semiconductor
N-Channel с диодом
TO-220CFM(I)
AP6N3R5LI
60V, 75A, 3,5mΩ, 32,9W
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Диоды Шоттки
SMA/DO-214AC
SS12
Schottky
Taiwan Semiconductor
N-Channel с диодом
DPAK
AP9974GH
60V, 74A, 10,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
N-Channel с диодом
TO-263(S)
AP4002S
600V, 2A, 5Ω
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Диоды Шоттки
TO-220-3
MBR30H100CT
100V, 30A
Schottky Barrier Rectifier
Taiwan Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-263(S)
AP6N3R5S
60V, 130A, 3,58mΩ,
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
N-Channel с диодом
SOIC8
AP9476GM-HF
N-канальный MOSFET с диодом
Advanced Power Electronics Corp.
Есть в наличии