Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
HYG067N07NQ1P
Нет в наличии
Нет в наличии
HYG019N04NR1C2
Нет в наличии
HYG060N08NS1P
HYG030N03LQ1P
Нет в наличии
всего найдено 92 позиций
P-Channel с диодом
DPAK
SUD50P06-15L
P-канальный MOSFET с диодом
Vishay Semiconductors/IR
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SO16
ADG411DY
LC2MOS Precision Quad SPST Switches
Vishay Semiconductors/IR
N-Channel с диодом
TO-220FB-3L
HYG067N07NQ1P
68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-220FB-3L
HYG042N10P
100V, 160A,
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
P-Channel с диодом
TO263
SUB75P05
P-канальный MOSFET с диодом
Vishay Semiconductors/IR
N-Channel с диодом
PDFN8L(5x6)
HYG019N04NR1C2
40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
N-Channel с диодом
TO-220FB-3L
HYG060N08NS1P
80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO-220FB-3L
HYG030N03LQ1P
30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI Microelectronics
Есть в наличии
N-Channel с диодом
IPAK
SUD30N03-30L
N-канальный MOSFET с диодом
Vishay Semiconductors/IR