Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

  • 1
  • 2
  •  всего найдено 94 позиций 
      Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
    ES2J
    DO214AC
    Galaxy Semiconductor 600V, 2A
    Купить
    80 т.
    Товар в корзине
    ME20P06-G
    DPAK
    Matsuki Electric P-канальный MOSFET с диодом (LOGIC LEVEL)
    -60V, -17,7A, 78mΩ
    Купить
    500 т.
    Товар в корзине
    ME4894-G
    SOIC8
    Matsuki Electric N-канальный MOSFET с диодом
    Купить
    350 т.
    Товар в корзине
    FR102
    DO15
    Galaxy Semiconductor
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине
    MB10F
    TO-269AA (MBS)
    Galaxy Semiconductor 1000V, 0,8A
    Купить
    100 т.
    Товар в корзине
    MB10S
    TO-269AA (MBS)
    Galaxy Semiconductor
    1000V, 0,8A
    Купить
    150 т.
    Товар в корзине
    ME70N03R ME70N03A
    TO252AA
    Matsuki Electric N-канальный MOSFET с диодом
    Купить
    300 т.
    Товар в корзине
    ME15N25
    TO-252-3L
    Matsuki Electric N-канальный MOSFET с диодом
    250V, 13,7A, 265mΩ, 80W
    Товар в корзине
    ME35N10A
    TO-252-3L
    Matsuki Electric N-канальный MOSFET с диодом 100V, 28,1A, 22mΩ
    Купить
    700 т.
    Товар в корзине
    ME75N80
    TO-220
    Matsuki Electric N-канальный MOSFET с диодом
    Купить
    650 т.
    Товар в корзине
    ME4057DSPG
    SOP8-PP
    Matsuki Electric
    Купить
    400 т.
    Товар в корзине
    HER208
    DO15
    Galaxy Semiconductor
    Купить
    70 т.
    Товар в корзине
    ME2325-G
    SOT23
    Matsuki Electric P-канальный MOSFET с диодом -30V, -4,3A, 10mΩ
    Товар в корзине
    MBR20100CT
    TO-220-3
    Galaxy Semiconductor Schottky
    Товар в корзине
  • 1
  • 2