|
|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 49 позиций
N-Channel с диодом
HY3408P
80V, 140A, 4,8mΩ, 246W, 4688pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY3210P
100V, 120A, 6,8mΩ, 237W, 4922pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY3606P
60V, 162A, 3,5mΩ, 214W, 4376pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY1808AP
80V, 84A, 6,2Ω, 210W, 3033pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
HY3306P
60V, 130A, 5,4mΩ, 230W, 3318pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HYG090N06LS1C1
60V, 36A,
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HYG090N06LS1P
60V, 62A,
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY3906P
60V, 190A, 3,2mΩ, 220W, 5726pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Нет в наличии
N-Channel с диодом
HY5110W
100V, 316A, 0,5Ω, 500/250W, 16465pF
N-канальный MOSFET с диодом
HOOYI Semiconductor
Нет в наличии
|