Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 1488 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
550 т.
|
|||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive) | 60V, 60A, 8mΩ, 150W |
Купить
1500 т.
|
||
TO-220SIS
|
N-Channel IGBT | 600V, 200A |
Купить
900 т.
|
||
TC40160
|
Unknown
|
Цифровая |
Купить
0 т.
|
||
2SC5587
|
2-16E3A
|
NPN | 750V, 17A, 75W |
Купить
700 т.
|
|
TO92
|
P-Channel | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
TLP627-4GB
|
11-20A3
|
Оптотранзистор |
Купить
800 т.
|
||
2SK170BL
|
TO92
|
N-Channel Junction Type |
Купить
200 т.
|
||
4042BP
|
DIP16
|
D-Триггер. QUAD CLOCKED D LATCH (4 D-Триггера) |
Купить
0 т.
|
||
SM10LZ47
|
13-10H1A
|
BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR | 800V, 10A, |
Купить
800 т.
|
|
TA8428K
|
HSIP7-2,54
|
Мостовой драйвер управления электродвигателем. FULL BRIDGE DRIVER | Тех. описание(PDF) |
Купить
800 т.
|
|
TB2118F
|
SSOP24
|
Купить
900 т.
|
|||
TK10A60D
|
SC-67
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
450 т.
|
||
TLP620
|
PDIP4 (DIP4-300-2.54)
|
Купить
100 т.
|
|||
SOIC8
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 12A, 7,6mΩ |
Купить
300 т.
|
||
SOIC8
|
5,5mΩ |
Купить
650 т.
|
|||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -8A, |
Купить
450 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -18A |
Купить
750 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V -18A 3,0mΩ |
Купить
600 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
750 т.
|
||
SOIC8
|
Dual N-Channel с диодом | 60V, 5A |
Купить
750 т.
|
||
TPC8303
|
SOIC8
|
Купить
600 т.
|
|||
SOIC8
|
N-Channel & P-Channel |
Купить
650 т.
|
|||
TA7808S
|
HSIP3-P-2.54A
|
8V Positive Voltage Regulator |
Купить
0 т.
|
||
TB1261FC
|
QFP80
|
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive) | -100V, -16A, 0,15Ω |
Купить
1000 т.
|
||
TO264
|
NPN |
Купить
0 т.
|
|||
HER106
|
DO15
|
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER | 1A |
Купить
70 т.
|
|
HER155
|
DO15
|
Купить
40 т.
|
|||
SF38
|
DO201
|
Купить
100 т.
|
|||
SN74HC14AN
|
DIP14
|
Триггер Шмитта. Hex inverting Schmitt trigger |
Купить
100 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 200V, 15A, 0,13Ω, 45W |
Купить
0 т.
|
||
2-10R1B
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 500V, 7A,0,6Ω, 45W |
Купить
0 т.
|
||
MP4001
|
2-25A1A
|
Купить
1400 т.
|
|||
2SC3964
|
TO126FM
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
TC74HC14AP <74HC14AP>
|
DIP14
|
Триггер Шмитта. Hex inverting Schmitt trigger |
Купить
100 т.
|
||
TA75450P
|
DIP8-300
|
Купить
0 т.
|
|||
GT30F133 <30F133>
|
TO252AA
|
N-Channel IGBT |
Купить
500 т.
|
||
TLP280GB-TP
|
SOP-4 (16467-4)
|
Купить
400 т.
|
|||
2SC3112
|
TO92
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
150 т.
|
|
2SK30ATM
|
TO92
|
N-Channel Junction Type | 50V, 10mA, 100mW |
Купить
300 т.
|
|
2-21F1A
|
P-Channel |
Купить
3000 т.
|
|||
2-10R1B
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive) | -100V, -12A, 0,15Ω, 35W, 1100pF |
Купить
450 т.
|
||
2-4E1B
|
N-Channel Junction Type | -50V, 10mA, 320Ω, 200mW |
Купить
750 т.
|
||
GT30F127
|
TO-220SIS
|
N-Channel IGBT | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
TSON Advance
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 100A, 1,8mΩ |
Купить
900 т.
|
||
KBU6M
|
KBU
|
Купить
0 т.
|
|||
FR157
|
RB-15
|
Купить
70 т.
|
|||
SR506
|
DO27
|
Schottky | 5A 60V |
Купить
60 т.
|
|
TLP421GB
|
PDIP4 (DIP4-300-2.54)
|
Купить
150 т.
|
|||
TO220F
|
NPN Darlington с диодом | 100V, ±3A, 2W/20W |
Купить
350 т.
|
||
2SC3113
|
SP-92
|
NPN |
Купить
50 т.
|
||
SC-64
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
||
2-10R1B
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 600V, 3,5A, 1,7Ω, 30W |
Купить
650 т.
|
||
2SD799
|
TO220AB
|
NPN Darlington с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
|
SOP5
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
650 т.
|
|||
11-4C2
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
1200 т.
|
|||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 25A, 0,036Ω, 40W |
Купить
0 т.
|
||
2SK3075
|
2-5N1A
|
N-Channel | 30V, 5A, 20W (RF Power MOSFET for VHF− and UHF−Band Power Amplifier) |
Купить
0 т.
|
|
SOT89
|
N-Channel с диодом (RF POWER MOSFET) | 30V, 1A, 3W |
Купить
350 т.
|
||
TO-3PN
|
N-канальный MOSFET с диодом | 1000V, 8A, 1,4Ω, 150W |
Купить
1100 т.
|
||
2SA1146
|
TO-3PN
|
PNP | -140V, -10A, 100W, 70MHz |
Купить
т.
|
|
TO92
|
Thyristor sensitive gate |
Купить
150 т.
|
|||
2SD1088
|
TO-220-3
|
NPN |
Купить
1000 т.
|
||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 60V, 5A, 0,12Ω, 20W |
Купить
400 т.
|
||
IPAK
|
NPN | 50V, 5A, 1W |
Купить
200 т.
|
||
TO220FM
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected (Automotive) | 60V, ±45A, 17mΩ, 30W, 2100pF |
Купить
800 т.
|
||
TC74HC165AP
|
DIP16
|
Регистры сдвига. 8-bit parallel-in/serial out shift register. 8-битный сдвиговый регистр с параллельным входом, последовательным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
150 т.
|
|
GT30F122
|
TO-220F LG-formed
|
N-Channel IGBT | 300V, 120A |
Купить
450 т.
|
|
GT30J122
|
TO-3P(N)IS
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
2500 т.
|
|
2-16F1A
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
1500 т.
|
|||
TB1334FG
|
TQFP64
|
Купить
1500 т.
|
|||
TK12A50D
|
SC-67
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
350 т.
|
||
2-7K1A
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 5A, 1,3Ω, 80W |
Купить
650 т.
|
||
TPD1018F
|
SSOP10-P-225-1.0
|
High-side Power Switch for Motors Solenoids and Lamp Drivers | Тех. описание(PDF) |
Купить
1850 т.
|
|
TPD7206F SMD 20PIN УЗКАЯ
|
Unknown
|
Купить
1000 т.
|
|||
SP-92
|
NPN Digital Transistors | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TB6560AHQ
|
HZIP25-P-1.27C
|
Купить
1700 т.
|