Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

  • 1
  • 2
  •  всего найдено 48 позиций 

    H5N2517FN

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    250V, 20A, 30W
    Renesas Technology
    TO-220F LG-formed
    Есть в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    850 т.
    Товар в корзине

    2SK1070

    N-Channel (обработка)
    N-Channel Junction FET
    Renesas Technology
    SOT89
    Есть в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    1400 т.
    Товар в корзине

    DBL2009

    Микросхемы прочие
    DAEWOO
    Unknown
    Есть в наличии
    DAEWOO
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    DP133

    Микросхемы прочие
    DAEWOO
    HYB
    Есть в наличии
    DAEWOO
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    H7N1004DS

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
    100V, 25A, 25mΩ
    Renesas Technology
    DPAK
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине

    RJP6065DPM

    N-Channel IGBT
    N-Channel IGBT
    630V, ±30A, 50W
    Renesas Technology
    TO-3PFM.
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине

    2SK1070PIDTL-E

    N-Channel (обработка)
    N-Channel Junction FET
    Тех. описание(PDF)
    Renesas Technology
    SOT23
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Купить
    0 т.
    Товар в корзине

    H5N5001FM

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
    Renesas Technology
    TO–220FM
    Нет в наличии
    Renesas Technology
    Товар в корзине
  • 1
  • 2