Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
Нет в наличии
RQA0009SXTL-E
всего найдено 216 позиций
N-Channel IGBT с диодом
TO252AA
RJH30H1
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
DPAK
RJH30H1
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP63F3A
630V, 40A
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
Симисторы (симметричные тиристоры, Triac)
TO220F
N-Channel IGBT
TO-220F LG-formed
RJP3053
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN
N-Channel IGBT
TO220F
Тиристоры, симисторы
MP-3A
Биполярные с изолированным затвором (IGBT)
TO-3PN
RJH30E3
RENESAS
Есть в наличии
Микросхемы прочие
SOP-20
HD151005FPEL
Octal Inverter Buffers/Drivers With Open Drain High Voltage Outputs
RENESAS
N-Channel IGBT
TO220FP
RJP3034
N-Channel IGBT
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
SOT669 (LFPAK; Power-SO8)
N-Channel с диодом
TO-3PN
N-Channel с диодом
SOT89
RGA0009TXDQS
3,2A 16V
N-канальный MOSFET с диодом
RENESAS
N-Channel с диодом
SOT89
P-Channel с диодом
TO263
2SJ551S
-60V. -18A, 0,050Ω, 60W
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
RENESAS
P-Channel с диодом
TO263
2SJ552S
-60V, -20A, 0,042Ω, 75W
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
DPAK
N-Channel с диодом
IPAK
H7N0603DL
60V, 30A, 11mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
RENESAS
N-Channel с диодом
SOT89
RQA0009SXTL-E
16V, 3,2A
N-канальный MOSFET с диодом
RENESAS
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO92FullPak
N-Channel с диодом
TO220F
N-Channel IGBT с диодом
TO220F
RJH3047
N-Channel IGBT с диодом
RENESAS
Есть в наличии
PNP Darlington с диодом
TO220(ST)
BDW94C
100V, 12A, 80W
PNP Darlington с диодом
SGS-THOMSON
Есть в наличии
N-Channel с диодом
TO218
N-Channel с диодом
TO-3PN
Стандартная логика
DIP14
HCF4075BEY
Логические элементы, 3-вентиля ИЛИ(OR). OR GATE
SGS-THOMSON
Есть в наличии