Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 7 позиций 

HY4004B ◙

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L
Нет в наличии
HUAYI Microelectronics
Товар в корзине

FBM85N80B Δ

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 90A, 7,0mΩ, 210W
FBM
TO-263-2L
Есть в наличии
FBM
Купить
500 т.
Товар в корзине

FBM85N80B

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 90A, 7,0mΩ
FBM@
TO-263-2L
Нет в наличии
FBM@
Купить
0 т.
Товар в корзине

2SJ665

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-100V, -27A, 77mΩ
ON Semiconductor
TO-263-2L
Есть в наличии
ON Semiconductor
Купить
350 т.
Товар в корзине

NCEP01T13AD

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 130A, 4,6mΩ
Wuxi NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
Нет в наличии
Wuxi NCE Power Semiconductor
Купить
420 т.
Товар в корзине

NCE8295AD

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
82V, 95A, 8,0mΩ, 170W, 6800pF
NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
Нет в наличии
NCE Power Semiconductor
Товар в корзине

NCEP15T14D

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
150V, 140A, 6,2mΩ, 340W, 5900pF
Wuxi NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
Нет в наличии
Wuxi NCE Power Semiconductor
Товар в корзине