×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 

RJH3077DPK

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
330V, 50A
Renesas Technology Corp
TO-3PN
Есть в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
3000 т.
Товар в корзине

RJK2017DPE

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 45A, 0,036Ω
Renesas Technology Corp
TO263
Есть в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
550 т.
Товар в корзине

2SJ535

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Тех. описание(PDF)
Renesas Technology Corp
TO220F
Есть в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
350 т.
Товар в корзине

RJH60D1DPE

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 52W
Renesas Technology Corp
LDPAK (S)-(1)
Нет в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
0 т.
Товар в корзине

RJH60D1DPP-M0

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 30W
Renesas Technology Corp
TO220F
Есть в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
550 т.
Товар в корзине

RJH60T4DPQ-A0

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A
Renesas Technology Corp
TO247
Есть в наличии
Renesas Technology Corp
Купить
900 т.
Товар в корзине