Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 12 позиций
IRFL4310PbF |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
IR-International Rectifier
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
IRFL4105 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
IR-International Rectifier
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
IRFL9014 |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-60V, -1,8A
IR-International Rectifier
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
IRFL014N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
IR-International Rectifier
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
150 т.
Товар в корзине
|
BSP373 |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
450 т.
Товар в корзине
|
BSP149L6327 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
BSP317P-L6327
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
IRFL214PbF |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
0,79A 250V 2.0Ω
IR-International Rectifier
PG-SOT223
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
BSP315P-H6327
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
BSP125 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
BSP129 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-SOT223
Есть в наличии
|
Купить
330 т.
Товар в корзине
|
IRFL110TR
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
IR-International Rectifier
PG-SOT223
|
Купить
320 т.
Товар в корзине
|