×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

STP60NF06

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 60A, 0,014Ω, 110W, 1660pF
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
250 т.
Товар в корзине

BD709

NPN
NPN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Ко
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
1750 т.
Товар в корзине

GP10N50A

Биполярные с изолированным затвором (IGBT)
ST Microelectronics
TO220_ST
Нет в наличии
ST Microelectronics
Купить
0 т.
Товар в корзине

2SC2078

NPN RF
NPN RF
75V, 3A
Unknown Brand
TO220_ST
Есть в наличии
Unknown Brand
Купить
350 т.
Товар в корзине

TIP130

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
200 т.
Товар в корзине