×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 

GT35J327

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Нет в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
0 т.
Товар в корзине

2SK3680-01

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
500V, ±52A
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
Fuji Electric
Купить
1750 т.
Товар в корзине

2SK3681-01

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, ±43A
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
Fuji Electric
Купить
750 т.
Товар в корзине

GT30J322

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
1500 т.
Товар в корзине

GT35J321

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
1500 т.
Товар в корзине

1MBK50D-060S

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 65A
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
Fuji Electric
Купить
1200 т.
Товар в корзине

2SK3689-01

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, ±16A
Fuji Electric
2-16F1A
Нет в наличии
Fuji Electric
Купить
0 т.
Товар в корзине

2SK2917

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
500V, 18A, 0,21Ω, 90W
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
450 т.
Товар в корзине