Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные транзисторы (BJT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 1 позиций 

RD9FE-V

NPN
NPN
hFE: 900~2000
SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY
TO126
Нет в наличии
SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY
Товар в корзине