×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

BSC028N06NS <028N06NS>

N-Channel с диодом
60V, 100A, 28mΩ, 43nC
Infineon Technologies AG
PG-TDSON-8
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

BSC252N10NSF G <252N10NS>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 40A, 25,2mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TDSON-8
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
800 т.
Товар в корзине

BSC032N03SG

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 3,2mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TDSON-8
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
650 т.
Товар в корзине

BSC016N04LS <016N04LS> Δ

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 100A, 1,6mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TDSON-8
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
600 т.
Товар в корзине

BSC500N20NS3 G <500N20NS>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 24A, 50mΩ, 96W,
Infineon Technologies AG
PG-TDSON-8
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине