Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

BT40T60ANFU

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT30N60ANF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1500 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFK

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1800 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFD

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT40N60BNF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине