Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 4 позиций 

SGT50T65FD1PN <50T65FD1>

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
650V, 50A,
Silan Semiconductors
TO-3PN
Есть в наличии
Silan Semiconductors
Купить
600 т.
Товар в корзине

SGT40N60FD1P7 <40N60FD1>

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Semiconductors
TO-247
Есть в наличии
Silan Semiconductors
Купить
2000 т.
Товар в корзине

SGT40U120FDR1P7

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200, 40A,
Silan Semiconductors
TO-247
Нет в наличии
Silan Semiconductors
Купить
2600 т.
Товар в корзине

SGT40N60NPFDPN

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Semiconductors
TO-3PN
Нет в наличии
Silan Semiconductors
Товар в корзине