Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 4 позиций 

SGT40N60NPFD

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
Silan Microelectronics
Купить
1000 т.
Товар в корзине

SGT60N60FD1P7 <60N60FD1> ◙

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A,
Silan Microelectronics
TO-247-3L
Есть в наличии
Silan Microelectronics
Купить
1700 т.
Товар в корзине

SGT60N60FD1PN <60N60FD1> ◙

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A,
Silan Microelectronics
TO-3P
Есть в наличии
Silan Microelectronics
Купить
1500 т.
Товар в корзине

SGT60T65FD1PN <60T65FD>

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Silan Microelectronics
TO-3PN
Есть в наличии
Silan Microelectronics
Купить
1200 т.
Товар в корзине