Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 2 позиций 

BUP314D

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 42A
Siemens Semiconductor Group
TO218
Есть в наличии
Siemens Semiconductor Group
Купить
800 т.
Товар в корзине

BUP312

N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Тех. описание(PDF)
Siemens Semiconductor Group
TO218
Есть в наличии
Siemens Semiconductor Group
Купить
0 т.
Товар в корзине