Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 1 позиций 

GT30J122

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Toshiba Semiconductor
TO-3P(N)IS
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
2500 т.
Товар в корзине