×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 10 позиций 

IPW60R125CP <6R125P>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 25A, 0,125Ω, 53nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
900 т.
Товар в корзине

IPW60R099CP <6R099P>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 31A, 0,099Ω, 60nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1800 т.
Товар в корзине

IPW60R041P6 <6R041P6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 41mΩ, 170nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPW65R019C7 <65C7019>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, ID,pulse: 496A, 19mΩ, 215nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPW60R280C6 <6R280C6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 13,8A, 0,28Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IPW60R120P7 <60R120P7>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 120mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPW60R190E6 <6R190E6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 59A, 0,19Ω, 63nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPW60R099C6 <6R099C6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,099Ω, 119nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IPW60R045CP <6R045P>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 60/38A, 0,028Ω, 431W, 6800pF, 150nC
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
2000 т.
Товар в корзине

IPW60R041C6FKSA1 <6R041C6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 77,5A, 0,041Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO247-3-1
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине