×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 11 позиций 

2SK1060

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 5A
NEC Nippon Electronics Corp.
TO251
Есть в наличии
NEC Nippon Electronics Corp.
Купить
750 т.
Товар в корзине

IRLU2705

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
55V, 28A, 0,040Ω, 68W
IR-International Rectifier
TO251
Есть в наличии
IR-International Rectifier
Купить
350 т.
Товар в корзине

RFD3055LE

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
11A 60V 0,107Ω
Fairchild Semiconductor
TO251
Есть в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
170 т.
Товар в корзине

GFU50N03 (FQU50N03)

N-Channel с диодом
30V, 65A, 9mΩ
Fairchild Semiconductor
TO251
Есть в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
400 т.
Товар в корзине

IRFU120N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 4,9A,
Vishay Semiconductors/IR
TO251
Есть в наличии
Vishay Semiconductors/IR
Купить
150 т.
Товар в корзине

FQD5N60C (FQU5N60C)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fairchild Semiconductor
TO251
Есть в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
250 т.
Товар в корзине

AP9918GJ

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
20V, 45A, 31,25W
Advanced Power Electronics Corp.
TO251
Есть в наличии
Advanced Power Electronics Corp.
Купить
550 т.
Товар в корзине

2SK1113

N-Channel с диодом
N-Channel с диодом +Zener-protected
120V, 3A
Toshiba Semiconductor
TO251
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
650 т.
Товар в корзине

AP9412GH/J

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 73A, 6mΩ
Advanced Power Electronics Corp.
TO251
Нет в наличии
Advanced Power Electronics Corp.
Купить
600 т.
Товар в корзине

CS1N60 B3R

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
0 т.
Товар в корзине

UT100N03L-TM3-T

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 5,3mΩ
Unisonic Technologies
TO251
Есть в наличии
Unisonic Technologies
Купить
350 т.
Товар в корзине