×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 7 позиций 

ULN2801A/

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом / Eight Darlington array
Тех. описание(PDF)
ST Microelectronics
DIP18
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
80 т.
Товар в корзине

ULN2803A/

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
ST Microelectronics
DIP18
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
300 т.
Товар в корзине

ULN2804A/

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом / Eight Darlington array
Тех. описание(PDF)
ST Microelectronics
DIP18
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
350 т.
Товар в корзине

ULN2803APG

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
Тех. описание(PDF)
Toshiba Semiconductor
DIP18
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
300 т.
Товар в корзине

ULN2805A

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
Тех. описание(PDF)
ST Microelectronics
DIP18
Нет в наличии
ST Microelectronics
Купить
0 т.
Товар в корзине

ULN2804A

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
Eight Darlington array
ST Microelectronics
DIP18
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
450 т.
Товар в корзине

ULN2804APG

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
Toshiba Semiconductor
DIP18
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
650 т.
Товар в корзине