Каталог товаров > Активные компоненты > Автомобильные радиоэлементы

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 

HGTP20N36G3VL <20N36GVL>

N-Channel Ignition IGBT-автомобильные
N-Channel Ignition IGBT Voltage Clamping (Logic Level)
Тех. описание(PDF)
Fairchild Semiconductor
TO220_HARRIS
Нет в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
0 т.
Товар в корзине

HGTP14N36G3VL <14N36GVL>

N-Channel Ignition IGBT-автомобильные
N-Channel Ignition IGBT
Fairchild Semiconductor
TO220_HARRIS
Есть в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
1500 т.
Товар в корзине

MGP15N40CL

N-Channel Ignition IGBT-автомобильные
N-Channel Ignition IGBT
410V, 15A, 138W
ON Semiconductor
TO220_HARRIS
Есть в наличии
ON Semiconductor
Купить
0 т.
Товар в корзине

BUZ11

N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220_HARRIS
Есть в наличии
HARRIS SEMICONDUCTOR
Купить
250 т.
Товар в корзине

BUZ71

N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
50V, 14A, 0,10Ω, 40W, 480pF
Harris Semiconductor.
TO220_HARRIS
Есть в наличии
Harris Semiconductor.
Купить
300 т.
Товар в корзине

BUZ71A

N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
50V, 13A, 0,12Ω
Infineon Technologies AG
TO220_HARRIS
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
420 т.
Товар в корзине

BUZ11A

N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом
HARRIS SEMICONDUCTOR
TO220_HARRIS
Есть в наличии
HARRIS SEMICONDUCTOR
Товар в корзине

BUZ71A

N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом (Automotive)
50V, 13A, 0,12Ω
Harris Semiconductor.
TO220_HARRIS
Есть в наличии
Harris Semiconductor.
Купить
400 т.
Товар в корзине