Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 3 позиций 

IPAW60R360P7SXKSA1 <60S360P7>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
650V, 9A, 360mΩ, 22W
Infineon Technologies AG
PG-TO220 FullPAK Wide Creepage
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
800 т.
Товар в корзине

IPAW60R380CE <60S380CE>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 15A, 380mΩ, 31W, 700pF
Infineon Technologies AG
PG-TO220 FullPAK Wide Creepage
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1500 т.
Товар в корзине

MMF60R360PS <60R360PS>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
MagnaChip Semiconductor
PG-TO220 FullPAK Wide Creepage
Есть в наличии
MagnaChip Semiconductor
Купить
1500 т.
Товар в корзине