Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 13 позиций
LA76936Y 7N 59J3 7LA4F |
Микросхемы прочие
SUSOC
SDIP64-600
Есть в наличии
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|
LA76931 7N 57K5 5LD04 |
Микросхемы прочие
SUSOC
SDIP64-600
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
LA76932A 7N 58G1 6MA42 |
Микросхемы прочие
SUSOC
SDIP64-600
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
LA76936N 7N 57V7 |
Микросхемы прочие
SUSOC
SDIP64-600
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
LA76936Y 7N 55J3 |
Микросхемы прочие
SUSOC
SDIP64-600
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 B3R |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 A1H |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO92
Есть в наличии
|
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFU |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT30N60ANF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFK |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1800 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT40N60BNF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
CS100N03 B4 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-252
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|