Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 10 позиций 

SPW20N60S5

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 20A, 0,19Ω
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

SPW11N80C3

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
800V, 0,45Ω, 64nC
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1200 т.
Товар в корзине

SPW24N60C3 <24N60C3>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 24,3A, 0,16Ω, 15ns
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

IKW40T120

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 40A
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1200 т.
Товар в корзине

IPW60R165CP <6R165P>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 21A, 0,165Ω, 39nC
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

IKW15N120H3

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 15A
Infineon Technologies AG
TO-247
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IHW30N160R2

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1600V, 30A
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
6500 т.
Товар в корзине

IKW40T120T2

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1200V, 40A
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1800 т.
Товар в корзине

H20PR5

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1350V, 20A
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1500 т.
Товар в корзине

IPW65R110CFD <65F6110>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
700V, 31,2A, 0,11Ω,
Infineon Technologies AG
TO-247
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине