|
|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 2 позиций
IRFBC30
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 3,6A, 2,2Ω
Semiconductor Technology, Inc.
TO220AB
Есть в наличии
|
|
|
|
RD9FE-V
|
NPN
NPN
hFE: 900~2000
SHENZHEN HAOLIN ELECTRONICS TECHNOLOGY
TO126
Нет в наличии
|
|
|
|
|
|