Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 9 позиций
H5N2517FN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SK1070 |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
H7N1004DS |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
DPAK
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SB5200 |
Диоды Шоттки
Schottky
200V, 5A
Gulf Semiconductor
DO201
Есть в наличии
|
Купить
100 т.
Товар в корзине
|
SB1060CT |
Диоды Шоттки
Schottky
Gulf Semiconductor
TO220F
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
RJP6065DPM |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Renesas Technology
TO-3PFM.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
2SK1070PIDTL-E |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT23
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
H5N5001FM |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO–220FM
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SSF2JG |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
600V, 2A, 35nS
Gulf Semiconductor
DO-15\DO-201AC
|
Купить
т.
Товар в корзине
|