Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 17 позиций
SSF7510 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor
TO220(STM)
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
SSF6014 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor
TO220AB
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
SSF6014 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 60A, 14mΩ
Silikron Semiconductor
TO220F
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
SSF5508 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
55V, 110A, 4,5mΩ
Silikron Semiconductor
TO220(STM)
Есть в наличии
|
Купить
1100 т.
Товар в корзине
|
SSFT3904 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor
TO220AB
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
SSF5508 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor
TO-220-3
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
SSF7509 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
75V, 80A, 6,5mΩ
Silikron Semiconductor
TO220
Есть в наличии
|
Купить
450 т.
Товар в корзине
|
SSF7509 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Silikron Semiconductor
TO220AB
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 B3R |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 A1H |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO92
Есть в наличии
|
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFU |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
SSF7510 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
75V, 75A, 7,2mΩ
Silikron Semiconductor
TO220AB
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
BT30N60ANF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFK |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
Купить
1800 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFD |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT40N60BNF |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
CS100N03 B4 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-252
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|