Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 10 позиций
24C04-3P |
EEPROM
EEPROM
ISSI
DIP8-300
Есть в наличии
|
Купить
80 т.
Товар в корзине
|
H5N2517FN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SK1070 |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
H7N1004DS |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
DPAK
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
RJP6065DPM |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Renesas Technology
TO-3PFM.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
IS31BL3508A-STLS2-EB <3508> |
Микросхемы прочие
1.0MHZ BOOST CONVERTER WITH 38V INTERNAL MOSFET SWITCH
ISSI
SOT23-6
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
IS62C256AL-45ULI-TR |
Микросхемы прочие
ISSI
SO28
Есть в наличии
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
IS65C256-20TA2 |
Микросхемы прочие
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
ISSI
TSOP-28
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SK1070PIDTL-E |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT23
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
H5N5001FM |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO–220FM
|
Купить
т.
Товар в корзине
|