Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 7 позиций 

TDA2822D

УМЗЧ
УМЗЧ. DUAL LOW-VOLTAGE POWER AMPLIFIER
SUM
DIP8-300
Есть в наличии
SUM
Купить
150 т.
Товар в корзине

TDA2822M 12V

УМЗЧ
УМЗЧ. DUAL LOW-VOLTAGE POWER AMPLIFIER
SUM
DIP8-300
Есть в наличии
SUM
Купить
100 т.
Товар в корзине

LM386N

УМЗЧ
УМЗЧ
SUM
DIP8-300
Есть в наличии
SUM
Купить
0 т.
Товар в корзине

CRSS038N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
China Resources Microelectronics
TO263
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине

CRST041N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
China Resources Microelectronics
TO-220-3
Есть в наличии
China Resources Microelectronics
Купить
600 т.
Товар в корзине

SKD502T

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
China Resources Microelectronics
TO-220
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине

SKSS055N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине